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中国首个拥有自主知识产权的存储芯片将在宁波投产
稿源: 中国宁波网  | 2013-01-18 17:11:09
签订协议

  中国宁波网1月18日讯(记者 陈章升 通讯员 章燕飞 于玲玲)今天上午,宁波市鄞州区人民政府与美国全芯科技有限公司签订相变存储器项目投资协议。未来,中国首个拥有自主知识产权的存储芯片将在鄞州制造生产。

  什么是相变存储器?记者在网上查阅资料后得知,相变存储器(phase change memory)简称PCM,是一种非易失存储设备,它利用材料的可逆转的相变来存储信息。同一物质可以在诸如固体、液体、气体、冷凝物和等离子体等状态下存在,这些状态都称为相。相变存储器便是利用特殊材料在不同相间的电阻差异进行工作的。

  “与现有传统芯片相比,相变存储器执行速度快1000倍,耐久性多1万倍!”邓万新博士解释说,相变存储将比现在所有的半导体器件有更大的影响力,应用更广泛。目前,相变存储的时代已经来临,它是未来30年相关产品的关键器件。

  据悉,在完成项目签约、选定厂址、环保评估后,美国全芯科技有限公司将于今年5月在宁波鄞州开始建设相变存储器厂。该厂建设分二期实施,其中第一期投资总额达2.5亿美元。预计明年11月,该厂一期全产能将达到八千片。

【编辑:陈章升】