“相变存储器”项目在鄞州签约

　　中国宁波网讯 昨天上午，鄞州区举行全芯科技相变存储器项目签约仪式，美国国家工程院院士、中国科学院外籍院士、美国全芯科技有限公司董事长马佐平，美国全芯科技有限公司董事、总裁邓万新，市委常委、鄞州区委书记陈伟俊，副市长陈仲朝等出席。

　　相变存储器(Phase Change Memory)，简称PCM，利用硫族化合物在晶态和非晶态巨大的导电性差异来存储数据，是一种非易失存储设备，与现有传统芯片比较，执行快1000倍，耐久性高1万倍，将取代高端硬盘。

　　据介绍，美国全芯科技有限公司将投入2.5亿美元选址鄞州工业园区，今年5月份完成环保评估后，开始建设相变存储器厂，计划2014年6月开始投产。

　　记者 朱军备 鄞州记者站 章燕飞 续大治