中国宁波网记者 殷聪 通讯员 虞昌胜 刘学
中电化合物半导体落户于杭州湾数字经济产业园。
“目前，我们6寸碳化硅衬底及外延片、碳化硅基氮化镓外延片已进入客户认证阶段。不出意外，我们最快明年便能实现量产。”在杭州湾新区，2018年落户的中电化合物半导体已进入摘果期。按照计划，这个全省首个第三代半导体项目设计年产能将达8万片，达产后的年销售额可达6亿元。
据介绍，第三代半导体材料主要应用于功率器件和频率器件。目前以碳化硅、氮化镓为代表。两者可广泛应用于5G通讯、新能源汽车、轨道交通、智能电网等领域。
中电化合物半导体目前已进入设备安装阶段。
为何要大力发展第三代半导体？据中电化合物半导体负责人马博士介绍，当前，第一代半导体材料在输出功率方面已达极限，要提高功率只能增大器件体积，并留出足够散热空间，第三代半导体材料即以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料应运而生，从根本上解决功率与体积的矛盾，成为半导体技术研究前沿和竞争焦点。
“当前，新一轮科技革命和产业变革风起云涌，确保产业链供应链安全、稳定显得尤为重要。目前，宁波正全力打造10条国内领先、具有国际影响力的标志性产业链。其中，集成电路便是其中重要的一条。”杭州湾新区开发区投资合作局副局长林直告诉记者，以中电化合物半导体为主的第三代半导体材料项目将进一步完善、强化杭州湾新区乃至全市集成电路产业链，有助于宁波抢占新一代信息技术制高点。
中电化合物半导体有望补上宁波集成电路产业重要一环。
除了完善产业链条，第三代半导体的市场前景广阔，将助力宁波加快新旧动能转换。数据显示，随着5G、新能源汽车等产业的不断推动，我国第三代半导体材料市场高速增长。2019年市场规模7.86亿元，同比增长31.7%，未来三年仍将保持20%以上的增速；2019年，我国第三代半导体器件市场规模86.29亿元，增长率99.7%，至2022年，市场规模将达到608.21亿元，增长率78.4%。
“SiC材料国内与国外相比还是存在一定的差距，需要我们通过不断的研发创新来缩小这一差距。我们相信，凭借不断地研发创新，我们有机会也有能力跻身国内乃至国际的前列。”中电化合物半导体相关负责人说。
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